GaNTech
Diseño de amplificadores de potencia integrados en nitruro de galio para comunicaciones
| El nitruro de galio (GaN) es un material semiconductor avanzado con alta movilidad de portadores y representa un enorme potencial para lograr avances claves en diversas aplicaciones como los convertidores de potencia, LED, radio frecuencia (RF) o células solares. Ofrece la posibilidad de fabricar dispositivos activos de RF, especialmente transistores de potencia HEMT (High Electron Mobility Transistor), con una potencia de salida significativamente mayor y menor área. El despliegue de esta tecnología es clave para que Canarias y Europa fortalezcan su competitividad al tiempo que se abordan los retos sociales del transporte, la eficiencia energética y la energía renovable.
El presente proyecto, consiste en realizar estudios y trabajos de simulación, diseño, fabricación y medida de amplificadores de potencia en la banda de GHz utilizando tecnología GaN. Asimismo, este proyecto ha sido financiado por la ACIISI (Agencia Canaria de Investigación, Innovación y Sociedad de la Información) para la realización de proyectos de I+D por organismos de investigación y empresas en las áreas prioritarias de la Estrategia de Especialización inteligente de Canarias RIS-3 co-financiadas por el Programa Operativo FEDER Canarias 2014-2020. |
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Area Efficient Dual-Fed CMOS Distributed Power Amplifier
Javier del Pino, Sunil L. Khemchandani, Sergio Mateos-Angulo, Daniel Mayor-Duarte, Mario San-Miguel-Montesdeoca, “Area Efficient Dual-Fed CMOS Distributed Power Amplifier”. Electronics MDPI. August 2018, vol. 7, no 8, p. 139. ISSN: 2079-9292. Abstract: Different causes of the gate leakage origin in AlGaN/GaN HEMTs on Si have been studied through numerical simulations. Based on DC measured results … Read more
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R. Rodríguez, B. González, J. García, A. Núñez, “Numerical simulation for DC Schottky gate leakage current in AlGaN/GaN HEMTs”, 12th Spanish Conference on Electronic Devices, Salamanca (Madrid, Spain), 14 – 16 Nov 2018.l Abstract: Different causes of the gate leakage origin in AlGaN/GaN HEMTs on Si have been studied through numerical simulations. Based on DC … Read more
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XXXIII Conference on Design of Circuits and Integrated Systems (DCIS). Oral. “A Ku-Band SSB Subharmonically Pumped Mixer designed using a 100nm GaN-on-Si process,”. M. San-Miguel-Montesdeoca, D. Mayor-Duarte, S. Mateos-Angulo, S.L. Khemchandani and J. del Pino. 14-16 de noviembre de 2018, Lyon. Abstract: This paper presents a Ku-band single-sideband mixer (SSB). The design is based on … Read more